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产品资料 >> MOS管--N沟道 |
| 产品名称： |
MOS管--N沟道 |
| 型 号： |
IN2302M3G--N沟道 |
| 品 牌： |
英康（详情点击图片进入查看） |
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IN2302 是N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点：
• 20V/3.6A，
RDS(ON) =65mΩ@VGS=4.5V
•20V/3.6A，
RDS(ON)）=100mΩ@VGS=2.5V
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 小封装：SOT-23-3
主要参数及工作特性
IN2302
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特性 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
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漏源击穿电压 |
V(BR)DSS |
VGS=0V, ID=250uA |
20 |
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V |
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栅源开启电压 |
VGS(t |
VDS= VGS, ID=50uA |
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0.7 |
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V |
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栅极漏电流 |
IGSS |
VDS=0V，VGS=±8V |
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±100 |
nA |
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饱和漏电流 |
IDSS |
VDS=20V VGS=0V |
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1.0 |
uA |
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漏源导通电阻 |
RDS(ON) |
VGS=4.5V,
ID=3.6A |
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65 |
90 |
mΩ |
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VGS=2.5V,
ID=3.6A |
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100 |
150 |
mΩ |
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二极管导通
电压 |
VSD |
VGS=0V,ID=3.6A |
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1.3 |
V | |
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