| 产品名称： |
MOS管--P沟道 |
| 型 号： |
IN2301M3G--P沟道 |
| 品 牌： |
英康（详情点击图片进入查看） |
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IN2301 是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗需采用小尺寸封装。
特点：
• -30V/-3.6A，
RDS(ON) =80mΩ@VGS=-10V
•-30V/-3.6A，
RDS(ON)）=110mΩ@VGS=-4.5V
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 小封装：SOT-23-3
主要参数及工作特性
IN2301
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特性 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
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漏源击穿电压 |
V(BR)DSS |
VGS=0V, ID=-10uA |
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－30 |
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V |
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栅源开启电压 |
VGS(th)） |
VDS= VGS, ID=-250uA |
-0.45 |
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-2.95 |
V |
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栅极漏电流 |
IGSS |
VDS=0V，VGS=20V |
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±95 |
nA |
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饱和漏电流 |
IDSS |
VDS=-30V ，VGS=0V |
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-1.0 |
uA |
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漏源导通电阻 |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-3.6A |
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80 |
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mΩ |
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VGS=-4.5V, ID=-3.6A |
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110 |
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mΩ |
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二极管导通
电压 |
VSD |
VGS=0V ，IS=-3.6A |
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-1.3 |
V |
其中“－”号代表电流方向 |
